domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > STL33N65M2
STL33N65M2
STMicroelectronics
N-CHANNEL 650 V, 0.124 OHM TYP.,
Bez olova / V souladu RoHS
Požadavek Price & dodací lhůta
STL33N65M2 jsou k dispozici, můžeme dodat STL33N65M2, použijte formulář žádosti o cenovou nabídku a požádejte o STL33N65M2 pirce a dodací lhůtu.Atosn.com profesionální distributor elektronických součástek. Máme velký inventář a můžeme rychle doručit, kontaktujte nás ještě dnes a náš obchodní zástupce vám poskytne cenu a podrobnosti o zásilce v části # STL33N65M2. Zahrňte problémy s celním odbavením, které odpovídají vaší zemi, máme profesionální prodejní týma technický tým, těšíme se na spolupráci.
Žádost o nabídku
paramters produktů
- Vgs (th) (max) 'Id
- 4V @ 250µA
- Vgs (Max)
- ±25V
- Technika
- MOSFET (Metal Oxide)
- Dodavatel zařízení Package
- PowerFlat™ (8x8) HV
- Série
- MDmesh™
- RDS On (Max) @ Id, Vgs
- 154 mOhm @ 10A, 10V
- Ztráta energie (Max)
- 150W (Tc)
- Obal
- Cut Tape (CT)
- Paket / krabice
- 8-PowerVDFN
- Ostatní jména
- 497-16939-1
- Provozní teplota
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Typ montáže
- Surface Mount
- Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Výrobní standardní doba výroby
- 42 Weeks
- Stav volného vedení / RoHS
- Lead free / RoHS Compliant
- Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
- 1790pF @ 100V
- Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
- 41.5nC @ 10V
- Typ FET
- N-Channel
- FET Feature
- -
- Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
- 10V
- Drain na zdroj napětí (Vdss)
- 650V
- Detailní popis
- N-Channel 650V 20A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (8x8) HV
- Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
- 20A (Tc)
Podobné produkty
- STMicroelectronics STL33N65M2
- Datový list STL33N65M2
- Datasheet STL33N65M2
- STL33N65M2 pdf datasheet
- Stáhněte si datový list STL33N65M2
- Obrázek STL33N65M2
- Část STL33N65M2
- ST STL33N65M2
- STMicroelectronics STL33N65M2