STW26N60M2
Požadavek Price & dodací lhůta
STW26N60M2 jsou k dispozici, můžeme dodat STW26N60M2, použijte formulář žádosti o cenovou nabídku a požádejte o STW26N60M2 pirce a dodací lhůtu.Atosn.com profesionální distributor elektronických součástek. Máme velký inventář a můžeme rychle doručit, kontaktujte nás ještě dnes a náš obchodní zástupce vám poskytne cenu a podrobnosti o zásilce v části # STW26N60M2. Zahrňte problémy s celním odbavením, které odpovídají vaší zemi, máme profesionální prodejní týma technický tým, těšíme se na spolupráci.
Žádost o nabídku
paramters produktů
- Vgs (th) (max) 'Id
- 4V @ 250µA
- Vgs (Max)
- ±25V
- Technika
- MOSFET (Metal Oxide)
- Dodavatel zařízení Package
- TO-247 (IXFH)
- Série
- MDmesh™ M2
- RDS On (Max) @ Id, Vgs
- 165 mOhm @ 10A, 10V
- Ztráta energie (Max)
- 169W (Tc)
- Obal
- Tube
- Paket / krabice
- TO-247-3
- Provozní teplota
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Typ montáže
- Through Hole
- Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Výrobní standardní doba výroby
- 42 Weeks
- Stav volného vedení / RoHS
- Lead free / RoHS Compliant
- Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
- 1360pF @ 100V
- Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
- 34nC @ 10V
- Typ FET
- N-Channel
- FET Feature
- -
- Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
- 10V
- Drain na zdroj napětí (Vdss)
- 600V
- Detailní popis
- N-Channel 600V 20A (Tc) 169W (Tc) Through Hole TO-247 (IXFH)
- Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
- 20A (Tc)
Podobné produkty
- STMicroelectronics STW26N60M2
- Datový list STW26N60M2
- Datasheet STW26N60M2
- STW26N60M2 pdf datasheet
- Stáhněte si datový list STW26N60M2
- Obrázek STW26N60M2
- Část STW26N60M2
- ST STW26N60M2
- STMicroelectronics STW26N60M2